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 Internal piezoelectric field and Auger recombination in InGaN/GaN quantum wells: impact on device performance InGaN/GaN量子阱中的内部压电场和俄歇复合：对器件性能的影响
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期刊：Applied Physics A 作者：D. M. Samosvat; A. A. Karpova; G. G. Zegrya 出版日期：2025-01-10 |
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毛聋聋
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2025-08-17 18:37:34 发布，悬赏 10 积分
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