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 Total ionizing dose and single-event transient effects in 22nm-FDSOI technology by TCAD simulation 相关领域
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Kai Huang; Jinshun Bi; Abuduwayiti Aierken; Xuefei Liu; Mingqiang Liu; et al 出版日期：2026-04-16 |
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