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 学位论文 β-二酮锌配合物的合成及原子层沉积氧化锌薄膜 |
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β-二酮锌配合物的合成及原子层沉积氧化锌薄膜 刘星宇 江南大学 摘要：氧化锌（ZnO）是一种具有较宽的带隙（3.37 eV）、较高激子结合能（60 meV）和较高迁移率的电子导体,被广泛应用于半导体领域。原子层沉积（ALD）是一种基于自限性表面化学的致密薄膜生长技术,原理是通过是气相前驱体和基底表面之间发生交替反应的过程,以原子层的方式沉积材料。在ALD锌类前驱体中,最具代表的前驱体是二乙基锌（DEZ）,因其良好的挥发性及高反应活性,提供了较高的生长速率（1.8?/cycle）,长期处在沉积ZnO薄膜前驱体的主导地位。但DEZ中含有金属碳键,具有自燃性,对空气极度敏感,有着极大的安全隐患,且制备的ZnO薄膜中C元素含量偏高,因此制备一种相对安全的ZnO前驱体是非常必要的。综上所述,本文选用不含金属碳键的β-二酮锌配合物Zn（thd）2做前驱体沉积了ZnO薄膜,并在Zn（thd）2（Hthd=2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮）的结构基础上设计合成了四种β二酮锌配合物Zn（tmod）2·H2O（Htmod=2,2,6,6-四甲基-3,5-辛二酮）、Zn（tmod） 更多 关键词： 原子层沉积;烷氧基锌;β-二酮;ZnO; 专辑： 工程科技Ⅰ辑;工程科技Ⅱ辑 专题： 化学;材料科学;工业通用技术及设备 DOI： 10.27169/d.cnki.gwqgu.2025.002435 分类号： O641.4;TB383.2 导师： 丁玉强;张文泉 学科专业： 化学工程（专业学位） 硕士电子期刊出版信息： 年期：2026年第01期 网络出版时间：2025-12-16—2026-01-15 |
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