标题 |
Schottky Barrier Height Modulation Using Interface Characteristics of MoS2 Interlayer for Contact Structure
基于MoS2界面特性的肖特基势垒高度调制
相关领域
肖特基势垒
材料科学
半导体
工作职能
接触电阻
光电子学
电接点
费米能级
二硫化钼
金属
肖特基二极管
纳米技术
复合材料
冶金
图层(电子)
电子
物理
二极管
量子力学
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网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:ACS applied materials & interfaces 作者:Seunghwan Kim; Kap Su Han; Gwang Sik Kim; Jiyoung Kim; Hyun Yong Yu 出版日期:2019-01-21 |
求助人 | |
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