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 Proton-induced defects in β-Ga2O3: A deep dive into electronic structure, carrier mobility, and thermal conductivity β-Ga2O3中质子诱导的缺陷：电子结构、载流子迁移率和热导率的深入研究
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Dan Han; Huitong Qin; Tongxiang Zhu; Hui Tu; Rongxing Cao; et al 出版日期：2025-12-16 |
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