High-Performance Broadband Mixed-Dimensional Phototransistors Based on the Boron Nitride Quantum Dots/MoSe2 Heterostructure with Enhanced UV Sensitivity

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标题	High-Performance Broadband Mixed-Dimensional Phototransistors Based on the Boron Nitride Quantum Dots/MoSe2 Heterostructure with Enhanced UV Sensitivity
网址	https://pubs.acs.org/doi/pdf/10.1021/acsami.4c21855
DOI	10.1021/acsami.4c21855 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Huiying Chen; Nan Zhang; Chunlu Chang; Zhilin Liu; Yaru Shi; et al 出版日期：2025-03-07
求助人	zz 在 2026-04-26 15:37:34 发布自北京，悬赏 10 积分
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