Threshold Voltage Setting Method for Layer Selection by Multi-Level Operation in Channel Stacked NAND Flash Memory

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标题	[高分] Threshold Voltage Setting Method for Layer Selection by Multi-Level Operation in Channel Stacked NAND Flash Memory
网址	https://doi.org/10.1166/jnn.2017.14043
DOI	10.1166/jnn.2017.14043 doi
其它	期刊：Journal of Nanoscience and Nanotechnology 作者：Do-Bin Kim; Dae Woong Kwon; Wandong Kim; Byung-Gook Park 出版日期：2017
求助人	行之在 2025-10-30 16:13:23 发布自湖南，悬赏 150 积分
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