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 InGaAs/AlInAs strain-compensated Superlattices grown on metamorphic buffer layers for low-strain, 3.6μm-emitting quantum-cascade-laser active regions 在变质缓冲层上生长的InGaAs/AlInAs应变补偿超晶格用于低应变、3.6 μ m发射量子级联激光有源区
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：L. J. Mawst; Jeremy D. Kirch; Chia‐Chen Chang; T. Kim; T. Garrod; et al 出版日期：2012-07-09 |
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