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标题
Comparison of GaN and InGaAs high electron mobility transistors as zero-bias microwave detectors
GaN和InGaAs高电子迁移率晶体管作为零偏置微波探测器的比较
相关领域
响应度 光电子学 材料科学 微波食品加热 晶体管 探测器 功勋 砷化镓 高电子迁移率晶体管 噪音（视频） 噪声等效功率 光电探测器 电气工程 光学 物理 电压 计算机科学 人工智能 工程类 图像（数学） 量子力学
网址
https://doi.org/10.1063/5.0111114
AI链接 hal.sciencedoi.org
DOI
10.1063/5.0111114 doi
其它 期刊：Journal of Applied Physics
作者：Gaudencio Paz-Martínez; I. Íñiguez-de-la-Torre; H. Sánchez-Martín; B. G. Vasallo; Nicolas Wichmann; et al
出版日期：2022-10-05
求助人
爆米花 在 2025-12-05 17:36:29 发布自北京，悬赏 10 积分
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