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Cathodoluminescence and EBIC investigations of stacking fault expansion in 4H-SiC due to e-beam irradiation at fixed points 电子束定点辐照4H-SiC层错扩展的阴极发光和EBIC研究
相关领域
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期刊:Journal of Physics D Applied Physics 作者:E. E. Yakimov; E. B. Yakimov 出版日期:2022-03-09 |
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