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  Controlling GaN-Based Laser Diode Performance by Variation of the Al Content of an Inserted AlGaN Electron Blocking Layer 通过改变插入的AlGaN电子阻挡层的Al含量来控制GaN基激光二极管的性能
相关领域
材料科学
阻塞（统计）
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期刊：Nanomaterials 作者：Yuhui Chen; Daiyi Jiang; Chunmiao Zeng; Chuanxiong Xu; Haoran Sun; et al 出版日期：2024-02-29 |
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(2025-6-4)
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