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Design of novel 3T ternary DRAM with single word-line using CNTFET
基于CNTFET的新型单字线3T三进制DRAM设计
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网址
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2022.105498
DOI
10.1016/j.mejo.2022.105498 doi
其它 期刊：Microelectronics Journal
作者：Zarin Tasnim Sandhie; Farid Uddin Ahmed; Masud H. Chowdhury
出版日期：2022-06-25
求助人
拒绝贪玩。 在 2025-12-11 11:13:01 发布自福建，悬赏 10 积分
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