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 Polycrystalline defects—origin of leakage current—in halide vapor phase epitaxial (001) β-Ga2O3 Schottky barrier diodes identified via ultrahigh sensitive emission microscopy and synchrotron X-ray topography 通过超高灵敏发射显微镜和同步辐射X射线形貌术识别卤化物气相外延（001）β-Ga2O3肖特基势垒二极管中的多晶缺陷——泄漏电流的来源
相关领域
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期刊：Applied Physics Express 作者：Sayleap Sdoeung; Kohei Sasaki; Katsumi Kawasaki; Jun Hirabayashi; Akito Kuramata; et al 出版日期：2021-01-21 |
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