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标题
Performance of Transparent Indium–Gallium–Zinc Oxide Thin Film Transistor Prepared by All Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
全等离子体增强原子层沉积法制备透明铟镓锌氧化物薄膜晶体管的性能
相关领域
薄膜晶体管 材料科学 原子层沉积 分析化学（期刊） 薄膜 光电子学 图层（电子） 物理 纳米技术 化学 有机化学
网址
https://doi.org/10.1109/led.2023.3239379
DOI
10.1109/led.2023.3239379 doi
其它 期刊：IEEE Electron Device Letters
作者：Qi-Zhen Chen; Chun-Yan Shi; Ming-Jie Zhao; Peng Gao; Wan-Yu Wu; et al
出版日期：2023-03-01
求助人
狒狒 在 2025-06-16 14:21:57 发布自美国，悬赏 10 积分
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