Improvement of properties of top-gate IGZO TFT by oxygen-rich ultrathin in situ ITO active layer

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标题	Improvement of properties of top-gate IGZO TFT by oxygen-rich ultrathin in situ ITO active layer 富氧原位ITO超薄活性层改善顶栅IGZO TFT性能相关领域活动层图层（电子）薄膜晶体管材料科学磁滞氧气光电子学俘获半导体原位化学纳米技术凝聚态物理生态学物理有机化学生物
网址	https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac7020
DOI	10.35848/1347-4065/ac7020 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Cong Peng; Meng Xu; Longlong Chen; Xifeng Li; Jianhua Zhang 出版日期：2022-07-01
求助人	xiaozhang 在 2024-03-08 22:01:49 发布自福建，悬赏 10 积分
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