High Active Nitrogen Flux Growth of (Indium) Gallium Nitride by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy

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标题	High Active Nitrogen Flux Growth of (Indium) Gallium Nitride by Plasma Assisted Molecular Beam Epitaxy 等离子体辅助分子束外延高活性氮流生长氮化铟镓相关领域分子束外延电子回旋共振镓分析化学（期刊）氮化物氮气化学气相沉积等离子体化学溅射岛屿生长材料科学光电子学薄膜纳米技术外延图层（电子）离子冶金环境化学有机化学物理量子力学
网址	https://escholarship.org/content/qt51f7s5xc/qt51f7s5xc.pdf?t...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
其它	期刊：PhDT 作者：Brian M. McSkimming 出版日期：2015-01-01
求助人	二六在 2023-12-21 09:42:25 发布自福建，悬赏 10 积分
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