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 Comparative Investigation of Interfacial Characteristics between HfO2/Al2O3 and Al2O3/HfO2 Dielectrics on AlN/p-Ge Structure AlN/p-Ge结构上HfO2/Al2O3与Al2O3/HfO2电介质界面特性的比较研究
相关领域
材料科学
电介质
高-κ电介质
光电子学
工程物理
纳米技术
工程类
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| 其它 |
期刊：Korean Journal of Materials Research 作者：Hogyoung Kim; Hee Ju Yun; Seok Cheol Choi; Byung Joon Choi 出版日期：2019-08-01 |
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