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Phosphorous-Doped Silicon Carbide as Front-Side Full-Area Passivating Contact for Double-Side Contacted c-Si Solar Cells
磷掺杂碳化硅作为双面接触c-Si太阳电池正面全面积钝化触点
相关领域
钝化
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期刊:IEEE Journal of Photovoltaics 作者:Andrea Ingenito; Gizem Nogay; Josua Stückelberger; Philippe Wyss; Luca Gnocchi; et al 出版日期:2019-03-01 |
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