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 Investigation of the Electrical Parameters in a Partially Extended Ge-Source Double-Gate Tunnel Field-Effect Transistor (DG-TFET) 部分扩展锗源双栅隧道场效应晶体管（DG-TFET）的电参数研究
相关领域
隧道场效应晶体管
场效应晶体管
光电子学
双闸门
固体物理学
晶体管
材料科学
领域（数学）
凝聚态物理
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物理
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数学
电压
纯数学
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期刊：Journal of Electronic Materials 作者：Omendra Kr Singh; Dhandapani Vaithiyanathan; Baljit Kaur 出版日期：2024-03-26 |
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