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  TheASi–SiiDefect Model of Light‐Induced Degradation (LID) in Silicon: A Discussion and Review 硅光诱导退化的Theasi-Siidefect模型：讨论与评述
相关领域
硅
硼
材料科学
电子顺磁共振
退火（玻璃）
兴奋剂
薄脆饼
消灭
晶体缺陷
杂质
结晶学
化学
核磁共振
纳米技术
光电子学
物理
核物理学
冶金
有机化学
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期刊：physica status solidi (a) 作者：Kevin Lauer; Katharina Peh; Dirk Schulze; Thomas Ortlepp; Erich Runge; et al 出版日期：2022-07-05 |
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