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 Interplay between Auger recombination, carrier leakage, and polarization in InGaAlN multiple-quantum-well light-emitting diodes InGaAlN多量子阱发光二极管中俄歇复合、载流子泄漏和偏振之间的相互作用
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Yi‐Chia Tsai; C. Bayram; Jean‐Pierre Leburton 出版日期：2022-05-17 |
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CipherSage
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