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Correlation between carrier concentration distribution, I-V and C-V characteristics of a-InGaZnO TFTs
a-InGaZnO薄膜晶体管的载流子浓度分布与I-V和C-V特性的相关性
相关领域
薄膜晶体管 材料科学 无定形固体 兴奋剂 电容 分析化学（期刊） 光电子学 电极 图层（电子） 化学 纳米技术 结晶学 物理化学 色谱法
网址
https://doi.org/10.1109/jdt.2015.2480871
DOI
10.1109/jdt.2015.2480871 doi
其它 期刊：Journal of Display Technology
作者：Chih-Chieh Hsu; Heping Chen; Wei‐Chieh Ting
出版日期：2015-01-01
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谨慎元蝶 在 2025-12-24 09:52:39 发布自北京，悬赏 10 积分
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