Enhanced switching characteristics of circular-shaped double-gate Si-doped MoS2 TFET for future high-speed applications

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标题	Enhanced switching characteristics of circular-shaped double-gate Si-doped MoS2 TFET for future high-speed applications
网址	https://doi.org/10.1016/j.micrna.2025.208226
DOI	10.1016/j.micrna.2025.208226 doi
其它	期刊：Micro and Nanostructures 作者：Shabya Gupta; Madhulika Verma; Sachin Agrawal 出版日期：2025
求助人	zachary 在 2026-01-31 17:12:15 发布自北京，悬赏 30 积分
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