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Growth of Hexagonal Boron Nitride (hBN) on Silicon Carbide Substrates by the Physical Vapor Transport Method
碳化硅衬底上六方氮化硼的物理气相传输法生长
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期刊:Semiconductors 作者:Е. Н. Мохов; V. Yu. Davydov; А. Н. Смирнов; S. S. Nagaluk 出版日期:2023-11-01 |
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