Growth of Hexagonal Boron Nitride (hBN) on Silicon Carbide Substrates by the Physical Vapor Transport Method

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作者
Е. Н. Мохов,V. Yu. Davydov,А. Н. Смирнов,S. S. Nagaluk
出处
期刊:Semiconductors [Springer Nature]
卷期号:57 (11): 483-487
标识
DOI:10.1134/s1063782623080092
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