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Analysis of axial resistivity during SiC crystal growth by the PVT method
PVT法生长SiC晶体的轴向电阻率分析
相关领域
电阻率和电导率 材料科学 Crystal(编程语言) 晶体生长 结晶学 化学 电气工程 计算机科学 工程类 程序设计语言
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AI识别 10.1039/d4ce01206b doi
其它 Journal of Crystal Growth, 644, 127842,Journal of Crystal Growth, 644, 127842
求助人
废洋洋 在 2025-04-29 09:48:31 发布自河北,悬赏 10 积分
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