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![]() 在45nm CMOS SOI中实现高达37 dBm IIP3和25.1 dBm IP1dB的紧凑型超高线性度7至20 GHz无源混频器
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期刊: 作者:Omar Hassan; Amr Ahmed; Gabriel M. Rebeiz 出版日期:2024-06-16 |
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