Physics-based modeling of surface potential and leakage current for vertical Ga2O3 FinFET

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标题	Physics-based modeling of surface potential and leakage current for vertical Ga2O3 FinFET 相关领域晶体管电容泄漏（经济）光电子学材料科学泊松方程电场电压带隙电子工程计算物理学物理电气工程工程类宏观经济学经济量子力学电极
网址	https://doi.org/10.1063/5.0181720
DOI	10.1063/5.0181720 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Twisha Titirsha; Md Maruf Hossain Shuvo; J.M. Gahl; Syed K. Islam 出版日期：2024-01-11
求助人	坚定傲菡在 2026-04-09 10:09:49 发布自北京，悬赏 10 积分
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