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 Gate length dependence of hot carrier injection degradation in short channel silicon on insulator planar MOSFET 相关领域
材料科学
MOSFET
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Chang Liu; L JIWU; Wu Wang-Ran; Xiaoyu Tang; Rui Zhang; et al 出版日期：2015-01-01 |
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