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 Trivacancy and trivacancy-oxygen complexes in silicon: Experiments andab initiomodeling 相关领域
接受者
从头算
硅
材料科学
中心（范畴论）
结晶学
原子物理学
物理
分子物理学
凝聚态物理
化学
光电子学
量子力学
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| 其它 |
期刊：Physical Review B 作者：В. П. Маркевич; А. R. Peaker; С. Б. Ластовский; Л.И. Мурин; J. Coutinho; et al 出版日期：2009-12-30 |
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