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Simulation of High Breakdown Voltage, Improved Current Collapse Suppression, and Enhanced Frequency Response AlGaN/GaN HEMT Using A Double Floating Field Plate
用双浮动场板模拟高击穿电压、改进的电流崩溃抑制和增强的频率响应AlGaN/GaN HEMT
相关领域
高电子迁移率晶体管
电场
击穿电压
材料科学
光电子学
电容
振荡(细胞信号)
电气工程
寄生电容
电压
晶体管
物理
化学
电极
工程类
生物化学
量子力学
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其它 |
期刊:Crystals 作者:Peiran Wang; Chenkai Deng; Hongyu Cheng; Wei-Chih Cheng; Fangzhou Du; et al 出版日期:2023-01-07 |
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