| 标题 |
 Surrounding Gate Vertical-Channel FET with Gate Length of 40 nm using BEOL Compatible High-Thermal-Tolerance In-Al-Zn Oxide Channel 使用BEOL兼容的高热容In-Al-Zn氧化物沟道的栅极长度为40nm的环绕栅极垂直沟道FET
相关领域
材料科学
光电子学
热稳定性
频道（广播）
晶体管
生产线后端
场效应晶体管
可靠性（半导体）
逻辑门
可扩展性
氧化物
电气工程
计算机科学
物理
工程类
电压
冶金
化学工程
数据库
量子力学
电介质
功率（物理）
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Hirokazu Fujiwara; Yuta Sato; Nobuyoshi Saito; Tomomasa Ueda; Keiji Ikeda 出版日期：2020-06-01 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
PDF的下载单位、IP信息已删除
GingerF
浮游
善学以致用
mashibeo
Perry
ccm
，。
北地风情
pluto
汉堡肉
yznfly
无极微光
嚯嚯
liao
utopia
将将将
脑洞疼
搜集达人
科目三
共享精神
皖公网安备34019202002308
