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  Terahertz metal-oxide-semiconductor transistors based on aligned carbon nanotube arrays 基于排列碳纳米管阵列的太赫兹金属氧化物半导体晶体管
相关领域
材料科学
光电子学
跨导
场效应晶体管
CMOS芯片
太赫兹辐射
晶体管
半导体
放大器
电气工程
电压
工程类
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| DOI |
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10.21203/rs.3.rs-2526224/v1
Doi
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| 其它 |
期刊：nature electronics 作者：Zhiyong Zhang; Jianshuo Zhou; Li Ding; Lin Xu; Xiaohan Cheng; et al 出版日期：2025-10-02 |
| 求助人 | |
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