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Volatile and Nonvolatile Resistive Switching in Lateral 2D Molybdenum Disulfide-Based Memristive Devices
横向二维二硫化钼基忆阻器件中的易失性和非易失性电阻开关
相关领域
二硫化钼 非易失性存储器 钼 材料科学 纳米技术 电阻随机存取存储器 光电子学 电阻式触摸屏 记忆电阻器 氧化钼 电极 化学 复合材料 电气工程 冶金 工程类 物理化学
网址
https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.5c01992
AI链接 acs.org nih.gov arxiv.org arxiv.org nih.govdoi.org
DOI
10.1021/acs.nanolett.5c01992 doi
其它 期刊：Nano Letters
作者：Sofía Cruces; Mohit D. Ganeriwala; Jimin Lee; Ke Ran; Janghyun Jo; et al
出版日期：2025-08-07
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阿萨十大 在 2025-12-04 18:27:59 发布自山东，悬赏 10 积分
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