Photoelectrochemical etching of n-type 4H silicon carbide

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标题	Photoelectrochemical etching of n-type 4H silicon carbide
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.1768612
DOI	10.1063/1.1768612 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Y. Shishkin; W. J. Choyke; R. P. Devaty 出版日期：2004-08-15
求助人	不关橙猫猫的事哦在 2026-07-22 17:29:08 发布自天津，悬赏 10 积分
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