标题 |
High-Performance Short-Channel Top-Gate Indium-Tin-Oxide Transistors by Optimized Gate Dielectric
优化栅介质的高性能短沟道顶栅氧化铟锡晶体管
相关领域
符号
氧化铟锡
物理
材料科学
数学
纳米技术
算术
图层(电子)
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DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Chengru Gu; Qingjun Hu; Shenwu Zhu; Qijun Li; Min Zeng; et al 出版日期:2023-05-01 |
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