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 Phase Change Heterostructure Memory with Oxygen‐Doped Sb2Te3 Layers for Improved Durability and Reliability through Nano crystalline Island Formation 具有氧掺杂Sb2Te3层的相变异质结构存储器通过纳米晶岛形成提高耐久性和可靠性
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期刊：Small 作者：Dong‐Hyun Kim; Seung Woo Park; Jun Young Choi; Ho Jin Lee; Jin Suk Oh; et al 出版日期：2024-04-15 |
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