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[高分]
 Gate All Around Metal Oxide Field Transistor: Surface Potential Calculation Method including Doping and Interface Trap Charge and the Effect of Interface Trap Charge on Subthreshold Slope 栅极四周金属氧化物场晶体管：包括掺杂和界面陷阱电荷的表面电位计算方法及界面陷阱电荷对亚阈值斜率的影响
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期刊：JSTS Journal of Semiconductor Technology and Science 作者：Faraz Najam; Sangsig Kim; Yun Seop Yu 出版日期：2013-10-31 |
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