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 Scalable Model, Parameter Extraction of GaN Schottky Barrier Diode (SBD) and Its Application in C-Band Limiter Design GaN肖特基势垒二极管（SBD）的可扩展模型、参数提取及其在C波段限幅器设计中的应用
相关领域
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Guoxiang Zhang; Xuanwu Kang; Yingkui Zheng; Hao Wu; Rikang Zhao; et al 出版日期：2024-01-01 |
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