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 A compact model of the backscattering coefficient and mobility of a graphene FET for $$\hbox {SiO}_2$$ and h-BN substrates $$\hbox{SiO}_2$$和h-BN衬底石墨烯场效应晶体管背散射系数和迁移率的紧凑模型
相关领域
石墨烯
材料科学
声子
凝聚态物理
基质（水族馆）
散射
电子迁移率
弹道传导
六方氮化硼
弱局部化
声子散射
电荷（物理）
物理
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期刊：Journal of Computational Electronics 作者：Abhishek Upadhyay; Deepika Gupta; Ribu Mathew; Ankur Beohar 出版日期：2022-10-12 |
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