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标题
Analysis of the Gate Current’s Influence on the RF Power Performance of InAlN/GaN HEMTs
栅极电流对InAlN/GaN HEMTs射频功率性能的影响分析
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网址
https://doi.org/10.1109/tmtt.2024.3431196
AI链接 kuleuven.bedoi.org
DOI
10.1109/tmtt.2024.3431196 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques
作者：Dongping Xiao; Dominique Schreurs; Rana ElKashlan; Yang Zhang; Adam Cooman; et al
出版日期：2024-08-01
求助人
科里斯皮尔 在 2025-12-05 18:24:16 发布自上海，悬赏 10 积分
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