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标题
Effect of P-Type GaN Buried Layer on the Temperature of AlGaN/GaN HEMTs
P型GaN埋层对AlGaN/GaN HEMTs温度的影响
相关领域
材料科学 光电子学 电场 图层（电子） 复合材料 物理 量子力学
网址
https://www.mdpi.com/2072-666X/14/7/1457/pdf?version=1689849...
AI链接 mdpi.com mdpi.com nih.gov nih.gov nih.gov doaj.orgdoi.org
DOI
10.3390/mi14071457 doi
其它 期刊：Micromachines
作者：Hanghang Lv; Yanrong Cao; Maodan Ma; Zhiheng Wang; Xin‐Xiang Zhang; et al
出版日期：2023-07-20
求助人
lau 在 2025-12-06 07:33:15 发布自甘肃，悬赏 10 积分
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