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标题
The time-voltage trade-off for ESD damage threshold in amorphous silicon hydrogenated thin-film transistors
非晶硅氢化薄膜晶体管ESD损伤阈值的时间-电压权衡
相关领域
薄膜晶体管 材料科学 非晶硅 光电子学 晶体管 阈值电压 硅 压力（语言学） 无定形固体 电压 降级（电信） 电气工程 复合材料 工程类 结晶学 化学 晶体硅 哲学 语言学 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1016/s0026-2714(01)00148-2
AI链接 utwente.nl utwente.nldoi.org
DOI
10.1016/s0026-2714(01)00148-2 doi
其它 期刊：Microelectronics Reliability
作者：N. Tošić Golo; S. van der Wal; F.G. Kuper; T. Mouthaan
出版日期：2001-09-01
求助人
坐井观天的蛙 在 2025-12-29 14:56:39 发布自四川，悬赏 10 积分
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