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 Record-high electron mobility at near pinch-off in N-polar GaN HEMT structures grown on on-axis N-polar GaN substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy 相关领域
高电子迁移率晶体管
感应高电子迁移率晶体管
电子迁移率
分子束外延
光电子学
材料科学
氮化镓
宽禁带半导体
电子密度
基质（水族馆）
电荷密度
晶体管
载流子密度
外延
功率密度
电子
镓
异质结
电荷（物理）
电流密度
载流子
氮化物
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Oguz Odabasi; Md. Irfan Khan; Sandra Diez; Kamruzzaman Khan; Tanmay Chavan; et al 出版日期：2025-09-29 |
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(2025-6-4)
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