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 Scalable Layer‐Controlled Oxidation of Bi2O2Se for Self‐Rectifying Memristor Arrays With sub‐pA Sneak Currents 用于具有亚PA潜电流的自纠正记忆电阻阵列的Bi2 O2 Se的可扩展层控氧化
相关领域
记忆电阻器
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期刊：Advanced Materials 作者：Yingjie Zhao; Zhefeng Lou; Jiaming Hu; Zishun Li; Lanxin Xu; et al 出版日期：2024-09-09 |
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