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Electrical Stability Modeling Based on Surface Potential for a-InGaZnO TFTs under Positive-Bias Stress and Light Illumination
基于表面电位的a-InGaZnO薄膜晶体管在正偏压和光照下的电稳定性建模
相关领域
薄膜晶体管
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其它 |
期刊:Micromachines 作者:Xiaoming Huang; Wei Cao; Chenyang Huang; Chen Chen; Zheng Shi; et al 出版日期:2023-04-13 |
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