An Online Condition Monitoring Method for Gate-Oxide Degradation and Junction Temperature Decoupling of SiC MOSFETs

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标题	An Online Condition Monitoring Method for Gate-Oxide Degradation and Junction Temperature Decoupling of SiC MOSFETs
网址	http://dx.doi.org/10.1109/tpel.2025.3627219
DOI	10.1109/tpel.2025.3627219 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Power Electronics 作者：Jinbo Li; Shilin Shen; Qunfang Wu; Shiyu Qiu; Qin Wang; et al 出版日期：2026-04-01
求助人	grassland 在 2026-09-25 19:55:11 发布自日本，悬赏 10 积分
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