标题 |
Multilevel Cell Ferroelectric HfZrO FinFET With High Speed and Large Memory Window Using AlON Interfacial Layer
采用AlON界面层的高速大存储窗口多能级HfZrO FinFET
相关领域
材料科学
非易失性存储器
晶体管
铁电性
光电子学
图层(电子)
存储单元
随机存取存储器
MOSFET
降级(电信)
数据保留
场效应晶体管
窗口(计算)
电子工程
电气工程
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Siao-Cheng Yan; Chen-Han Wu; Chong-Jhe Sun; Xin-Chan Zhong; Chih-Siang Chang; et al 出版日期:2023-01-01 |
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