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 Impact of Oxygen Vacancy Content in Ferroelectric HZO films on the Device Performance 铁电HZO薄膜中氧空位含量对器件性能的影响
相关领域
铁电性
正交晶系
氧气
内容（测量理论）
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电压
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期刊： 作者：Terence Mittmann; Monica Materano; Sou-Chi Chang; I. V. Karpov; Thomas Mikolajick; et al 出版日期：2020-12-12 |
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