Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates

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标题	Model for Bias Frequency Effects on Plasma-Damaged Layer Formation in Si Substrates 偏频对硅衬底等离子体损伤层形成的影响模型相关领域离子等离子体阻止力原子物理学感应耦合等离子体航程（航空）等离子体参数分布函数图层（电子）能量（信号处理）化学偏压材料科学分子物理学物理纳米技术热力学电压核物理学有机化学量子力学复合材料
网址	https://doi.org/10.1143/jjap.49.056203
DOI	10.1143/jjap.49.056203 doi
其它	期刊：Japanese Journal of Applied Physics 作者：Koji Eriguchi; Yoshinori Nakakubo; Asahiko Matsuda; Yoshinori Takao; Ken Ono 出版日期：2010-05-01
求助人	合适夏天在 2024-03-21 13:49:32 发布自北京，悬赏 10 积分
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Society for Industrial and Applied Mathematics (SIAM)

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